型号：

2N7002W

沟道：

N MOS

封装：

SOT-323

漏源电压Vds(V)：

60V

连续漏极电流ID(A)：

115mA

导通电阻(RDS(on))：

900mΩ@10V

型号：

YC09P03ADK

沟道：

P MOS

封装：

DFN2*2-6

漏源电压Vds(V)：

-30

连续漏极电流ID(A)：

-9

沟道：

P

封装：

SOT23-3L

漏源电压Vds(V)：

-30

连续漏极电流ID(A)：

-10

门槛电压Vth(V)typ：

-1.5

栅源电压VGS(V)：

±20

RDS (on)typ @10V,mΩ：

15

RDS (on)typ @4.5V,mΩ：

24

沟道：

P

封装：

PDFN5*6

漏源电压Vds(V)：

-30

连续漏极电流ID(A)：

-65

沟道：

P

封装：

PDFN5*6

漏源电压Vds(V)：

-30

连续漏极电流ID(A)：

-180

沟道：

N

封装：

DFN3*3

漏源电压Vds(V)：

30

连续漏极电流ID(A)：

85

门槛电压Vth(V)typ：

1.5

栅源电压VGS(V)：

±20

RDS (on)typ @10V,mΩ：

2.5

RDS (on)typ @4.5V,mΩ：

3.6

沟道：

P

封装：

TO252

漏源电压Vds(V)：

-30

连续漏极电流ID(A)：

-80

沟道：

P

封装：

TO252

漏源电压Vds(V)：

-30

连续漏极电流ID(A)：

-100

沟道：

N

封装：

PDFN3*3

漏源电压Vds(V)：

30

连续漏极电流ID(A)：

45

门槛电压Vth(V)typ：

1.5

栅源电压VGS(V)：

±20

RDS (on)typ @10V,mΩ：

6.2

RDS (on)typ @4.5V,mΩ：

9

沟道：

N

封装：

PDFN3*3

漏源电压Vds(V)：

30

连续漏极电流ID(A)：

40

门槛电压Vth(V)typ：

1.5

栅源电压VGS(V)：

±20

RDS (on)typ @10V,mΩ：

9.5

RDS (on)typ @4.5V,mΩ：

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