沟道：

N+N

封装：

DFN3*3

漏源电压Vds(V)：

30

连续漏极电流ID(A)：

45

沟道：

N+N

封装：

PDFN3*3

漏源电压Vds(V)：

40

连续漏极电流ID(A)：

20

沟道：

N

封装：

SOT23-3L

漏源电压Vds(V)：

30

连续漏极电流ID(A)：

12

门槛电压Vth(V)typ：

1.5

栅源电压VGS(V)：

±20

RDS (on)typ @10V,mΩ：

9

沟道：

N

封装：

SOT23-3L

漏源电压Vds(V)：

30

连续漏极电流ID(A)：

10

门槛电压Vth(V)typ：

1.5

栅源电压VGS(V)：

±20

RDS (on)typ @10V,mΩ：

10

RDS (on)typ @4.5V,mΩ：

15

沟道：

N

封装：

DFN2*2-8

漏源电压Vds(V)：

20

连续漏极电流ID(A)：

25

门槛电压Vth(V)typ：

0.7

栅源电压VGS(V)：

±12

RDS (on)typ @10V,mΩ：

4

RDS (on)typ @4.5V,mΩ：

5.5

沟道：

N

封装：

DFN2*2

漏源电压Vds(V)：

20

连续漏极电流ID(A)：

20

门槛电压Vth(V)typ：

0.7

栅源电压VGS(V)：

±12

RDS (on)typ @10V,mΩ：

4.2

RDS (on)typ @4.5V,mΩ：

6.2